申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)： 200580000371 本發(fā)明提供一種成膜方法，利用反復(fù)進(jìn)行下述工序的ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法，在基板上形成Ｃｕ膜：將蒸汽壓高，對(duì)襯底濕潤性好的Ｃｕ羧酸絡(luò)合物或其衍生物氣化，作為原料氣體使用，且使用Ｈ↓［２］作為還原氣體，使原料氣體吸附在基板上的工序；和利用還原氣體還原吸附的原料氣體，形成Ｃｕ膜的工序。由此可形成保形（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）良好膜質(zhì)的Ｃｕ薄膜。
| 申請(qǐng)日： | 2005年02月25日 |
| 公開日： | 2006年08月30日 |
| 授權(quán)公告日： | |
| 申請(qǐng)人/專利權(quán)人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 申請(qǐng)人地址： | 日本東京 |
| 發(fā)明設(shè)計(jì)人： | 小島康彥;吉井直樹 |
| 專利代理機(jī)構(gòu)： | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 |
| 代理人： | 龍淳 |
| 專利類型： | 發(fā)明專利 |
| 分類號(hào)： | C23C16/18;H01L21/285 |
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