申請號/專利號： 01818940 一種銅拋光漿料可以通過將下列物質組合在一起而形成：螯合有機酸緩沖體系，如檸檬酸和檸檬酸鉀；研磨劑，如膠體二氧化硅。這種銅拋光漿料在集成電路的制造中很有用，具體地說，在銅和銅擴散阻斷層的化學機械拋光中很有用。另一種銅拋光漿料可通過進一步與氧化劑如過氧化氫，和／或腐蝕抑制劑如苯并三唑相組合而形成。按照本發明的漿料的優良性質包括：Ｃｕ的移除速率提高到＞３０００埃每分鐘。與現有技術相比，在獲得這一較高的拋光速率的同時維持了局部ｐＨ的穩定性，并顯著減少了整體和局部腐蝕。局部ｐＨ的穩定能夠減少晶片內部的不均一性并減少腐蝕缺陷。而且，銅擴散阻斷層，如鉭或氮化鉭，也可利用不包括氧化劑在內的此類漿料進行拋光。
| 申請日： | 2001年10月29日 |
| 公開日： | 2004年05月05日 |
| 授權公告日： | 2006年05月17日 |
| 申請人/專利權人： | 英特爾公司 |
| 申請人地址： | 美國加利福尼亞州 |
| 發明設計人： | 肯尼思·C·卡迪恩;安妮·E·米勒;艾倫·D·費勒 |
| 專利代理機構： | 北京東方億思專利代理有限責任公司 |
| 代理人： | 杜娟 |
| 專利類型： | 發明專利 |
| 分類號： | H01L21/768;H01L21/321 |
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