申請號/專利號： 00811809 在填充在半導體晶片上形成的配線（ＬＳＩ）圖案的微細通路或溝道時，用含有吡咯或硅烷偶聯劑的銅電鍍液進行電鍍，或者用含有吡咯或硅烷偶聯劑的銅電鍍用前處理液浸漬之后進行電鍍。這樣，通過向電鍍液中添加銅溶解抑制成分，或者用含銅溶解抑制成分的溶液進行前處理，可以抑制覆蓋度差的銅籽晶層的溶解，防止空隙、裂縫等缺陷的發生。
| 申請日： | 2000年05月26日 |
| 公開日： | 2002年09月18日 |
| 授權公告日： | 2005年02月23日 |
| 申請人/專利權人： | 株式會社日礦材料 |
| 申請人地址： | 日本東京都 |
| 發明設計人： | 關口淳之輔;山口俊一郎 |
| 專利代理機構： | 中國專利代理(香港)有限公司 |
| 代理人： | 郭廣迅 |
| 專利類型： | 發明專利 |
| 分類號： | C25D3/38;C25D5/34 |
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