申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)： 200580011949 本發(fā)明提供一種黃銅礦型薄膜太陽(yáng)能電池用光吸收層的制造方法，具備黃銅礦類化合物（Ｃｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ↓［２］）的構(gòu)成成分在內(nèi)部均勻分布的膜構(gòu)造。本發(fā)明的光吸收層的制造方法包括：（１）在Ｍｏ電極層上利用濺射法層疊與該電極層鄰接的Ｉｎ金屬層和Ｃｕ－Ｇａ合金層的前體形成工序；（２）在將形成有前體的基板（１）收納于氣密空間的狀態(tài)下，向室溫～２５０℃的溫度范圍的該空間內(nèi)導(dǎo)入硒化氫氣體的第一硒化工序；（３）向升溫到２５０℃～４５０℃的溫度范圍的氣密空間內(nèi)追加導(dǎo)入硒化氫氣體的第二硒化工序；（４）在殘留到第二硒化工序?yàn)橹箤?dǎo)入的硒化氫氣體的狀態(tài)下，將氣密空間內(nèi)升溫到４５０℃～６５０℃的溫度范圍，在該溫度范圍條件下進(jìn)行上述基板的熱處理的第三硒化工序；（５）將熱處理后的基板冷卻的冷卻工序。

申請(qǐng)日：	2005年04月08日
公開日：	2007年04月04日
授權(quán)公告日：	2009年01月28日
申請(qǐng)人/專利權(quán)人：	本田技研工業(yè)株式會(huì)社
申請(qǐng)人地址：	日本東京都
發(fā)明設(shè)計(jì)人：	久米智之;小丸貴史
專利代理機(jī)構(gòu)：	中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
代理人：	李貴亮
專利類型：	發(fā)明專利
分類號(hào)：	H01L31/04;H01L21/363

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